一、簡介

1．概（gài）述

當電網由於某種原因而出現電壓降低、電壓升高、頻率降低、頻率（lǜ）升高、頻率（lǜ）突變等故障出現時， 本裝置接收到此時的（de）故障量並及時的發出跳閘命令，跳開並網點開關，使得該電站脫網（wǎng）。

2．引用標準

GB /T17626.2        《靜電放電抗擾度試驗》

GB /T17626.3        《射頻電磁場輻射抗擾度試驗》

GB/T17626.4         《電快速瞬變脈衝群抗擾度試驗》

GB/T17626.5         《浪湧衝擊抗擾（rǎo）度試驗》

GB /T17626.6        《射（shè）頻場感應的（de）傳導騷擾抗擾度（dù）試驗（yàn）》

GB/T17626.8         《工頻磁（cí）場抗擾度試驗》

GB /T17626-1998     《電磁兼容試驗（yàn）和測量技術》

GB11920-89          《電（diàn）站（zhàn）電氣部分集中控製裝置通用條件技術》

GB 16836-1997       《量度繼電（diàn）器（qì）和保護裝置安全設計的一般要（yào）求》

GB J63-90           《電力裝置（zhì）的電測量儀（yí）表裝置設計規（guī）範》

GB/T14537-1993      《量度繼電器和保護裝置的衝擊與碰撞試（shì）驗》

GB /T15145-94       《微機線路保護裝（zhuāng）置通用技術（shù）條件》

3．裝置特（tè）點

1) 采用（yòng）全漢化2.8寸320*240分辨率65K彩色液（yè）晶顯（xiǎn）示（4.3寸為480*272），人機界麵清晰         易懂，操作整定極為方便

2) 采（cǎi）用32位（wèi）ARM Cortex-M4內核，配備高精（jīng）度的A/D芯片，使得裝置性能穩定、運算速快、     精度高（gāo）；

3) 完整的異常記錄、事件記錄、操作（zuò）記錄，所有信息掉電保持；

4) 完（wán）善的自診斷和監視功能，對故障可具體（tǐ）定位（wèi），方便調試；

5) 完善的軟硬件看門狗，保（bǎo）證裝置可靠運行；

6) 完善的在線運行狀態監視功能；

7) 高精度的時鍾芯片；

8) 配備高速（sù）以太網通信接口(支（zhī）持2路，標配1路)；

9) 標配1路RS485通信接口；

10) 高等級、高品質保（bǎo）證的元器件選用，采用多層板（bǎn）技術和SMT工藝；

4．裝（zhuāng）置結構

4.1 結（jié）構：

采用5U 、19/3英寸標準機箱（xiāng），整麵板（bǎn）、背插式結構，嵌入式、後接線安裝方（fāng）式，強弱電隔離，大大加強了（le）其產（chǎn）品的電氣性能。

4.2 交流及電源（yuán）插（chā）件：

外部（bù）電流經隔離互（hù）感器隔離變換後，由低通濾波器輸入至A/D芯片，CPU經采樣數字處理後，構成各種數（shù）字式（shì）保護繼電器，並實時計（jì）算各種測量值。

電流采集保護和測量獨立，保證了保護電流的寬範（fàn）圍采集及測量電流的精度（dù）要求。

電（diàn）源采用交直流寬電（diàn）壓輸入，輸出2組完全隔（gé）離的直流電壓為裝置（zhì）供電。

4.3 CPU插件（jiàn）：

CPU插件主要由（yóu）以下幾部分構成：

1） CPU係統

CPU係統由32位ARM Cortex-M4內核（hé）微處理器、SRAM、EEPROM、Flash等構成。高（gāo）性能的（de）32位微處（chù）理器（qì），大容量的SRAM、EEPROM及Flash，使得該CPU模件具有極強的數據處理及記錄能力，可以實現各種複雜的故障處（chù）理方案和記錄大量的故障數據（jù）。EEPROM及Flash用於存儲保護定值、故障錄波報告、事件等，這些信息在裝置掉電後均不會丟失。EEPROM支持不少於1,000,000 次擦寫操作，數據可隻是保存100年，Flash支持不（bú）少於100,000 次擦寫操作，數據可至少（shǎo）保存20年。

2) 數據采集係統（tǒng）

數據（jù）采集係統由前級高精度濾波阻容器件（電阻精度0.5%，溫漂係數50ppm/℃，電容精度1%，溫漂係數C0G），高精度的差分A/D轉換芯片組成，轉換芯片內部包含了采（cǎi）樣保持（chí）及同步（bù）電路，具有轉換速（sù）度快、采樣偏差小、超小功耗及穩定性好等特點，故本裝置的采樣回路無可調整元件，也不需要在現場（chǎng）作調整，具備高度的可靠性。

3）開關量輸（shū）入及（jí）輸（shū）出部分

開入量分（fèn）為內部開入和外部開入，內部開入采用DC24V光耦隔離輸入（rù），電源由裝置電源本（běn）身提供，外部開入采用（yòng）穩壓控製的光耦隔離，實現交直流220V（或（huò）直流110V）直接輸入（rù）電平。

開出經過高（gāo）CTR光（guāng）耦驅動（dòng）繼電器，開出部分I/O經多重閉鎖，保證了繼電器的穩定可靠。

4) 通信部分

本插件內（nèi）含通10M/100M以（yǐ）太網接口（kǒu）(標配1路，可（kě）擴展至2路)和RS485通訊接口，特（tè）殊情況下也可提供光纖接口。

5) 時鍾回（huí）路

插件（jiàn）內設置了硬件時鍾回路（lù）,采用的時鍾芯片精度高,並配有電池以掉電保持。

另外，CPU插件采用了多層印製板及表麵封裝工藝，外（wài）觀小巧（qiǎo），結（jié）構緊（jǐn）湊，大大提高了裝置的可靠（kào）性及抗電磁幹擾能力。

4.4 開關量插件

開關量（liàng）插件（jiàn）由開出和（hé）開入組成。開出由（yóu）各種繼電器提供，其中包括了信號出口、備用出口等。開（kāi）入采用穩壓控製的（de）光耦隔離（lí），實現交直流（liú）220V（或直流（liú）110V）直接輸入電平。

4.5 人機對話插件（MMI）：

人機對（duì）話（huà）（MMI）插件采用（yòng）2.8寸320*240分辨率65K彩色液晶（jīng）顯示，可選（xuǎn）配4.3寸480*272分辨率（lǜ）65K彩色（sè）液晶顯示，可顯示一次圖，人機界麵清晰易懂，配置係（xì）列通用的鍵盤操作方式，使得人機（jī）對話操作方便、簡單。本（běn）插件上還配置了（le）燈光指（zhǐ）示信（xìn）息，使（shǐ）本裝置的運行信（xìn）息更為直觀。

5．主要技術指標（biāo）

5.1 技術參數

1） 額定裝（zhuāng）置電源                DC220V 、DC110V 、AC220V或AC127V(訂貨注明（míng）)

2） 額定技（jì）術數（shù）據

a) 交流電（diàn）流：                  5A/1A自適應        (訂貨注明)；

b) 相電壓：                    57.7V 或100V，支持Y和VV接線  (訂貨注明)；

c) 頻率：                      50Hz或60Hz （訂貨注明）；

3） 功（gōng）率消耗

直流工作電源：                 正（zhèng）常（cháng）工作（zuò）時,不大於（yú）10W；

保護動作時,不大於15W。

交流電流回路（lù）：                  < 1VA/相   (IN =5A)；

                                < 0.5VA/相 (IN =1A)；

交流電壓回路（lù）：                  < 0.5VA/相；

4） 精確（què）工作範圍：

電流：                          0.04In～6In

電壓：                          0.5V～120V

頻（pín）率：                          0.9Fn～1.1Fn

時間：                          0～100s

5） 精（jīng）度：

a) 交流量精度：                 ≤±0.2%；

b) 有功無功：                   ≤±0.5%；

c) 脈衝輸入量：允許脈衝寬度     ≥6ms；

d) 頻率分辨率（lǜ）：                 ≤0.01Hz；

6） 開關量輸入：

輸入類型：                      無源

工作電壓：                      AC、DC220V或DC110V

7） 開出接點容量：

觸點（diǎn）額定載流容量：              1250VA

動作壽命：                      100,000次

8） 通信接口：

類型：                          以太網（標配1路，可擴至2路）、RS485

協議：                          IEC870-5-103、Modbus-RTU

9）對時：

類型：                          網絡對時、IRIG_B（DC）即B碼對時（訂貨說明）

5.2 環境參數

5.2.1 電（diàn）氣環境

a) 直流（liú）電源

電（diàn）壓波動範圍：額定（dìng）電壓80%～120%，

紋波係數：不大於5%

b) 絕緣電阻

在正常試驗大（dà）氣條件下,裝置的帶電電路部（bù）分和非帶電金屬及外殼之間,以（yǐ）及電（diàn）氣無聯係的各電路之間,用開路電壓500V的兆歐表測量絕緣電阻值；正常試驗大氣條件下（xià）,各（gè）回（huí）路絕緣電阻（zǔ）應不小於100 MΩ。

c) 介質強度

在正常試驗大氣條件下,裝置能承受試驗電壓（yā）值為2000V，頻率為50Hz,曆時（shí）1min的工頻耐（nài）壓試驗而無擊穿閃絡及元器件損壞現象。

d) 衝擊電壓

在正常試驗大氣條件下,裝置的直流輸入回（huí）路、交流輸（shū）入回路、信號輸出觸點諸（zhū）回路對地以及回路之間，能承受(1.2/50)μs的標準雷電波的短時衝擊電壓試驗，開路試驗電壓5kV，無絕緣（yuán）損壞。

e) 靜（jìng）電放電（diàn）抗幹擾度

通過GB/T 17626.2－1998標準、靜電放電抗幹擾4級試驗。

f) 射頻電磁場（chǎng）輻（fú）射抗幹擾度

通過GB/T 17626.3－1998標準、射頻電磁場輻射抗幹擾度3級試驗。

g) 電快速瞬變脈衝群（qún）抗擾度

通過GB/T 17626.4－1998標準（zhǔn）、電快速瞬變（biàn）脈衝群抗擾度4級試驗。

h) 浪湧（衝擊）抗擾度

通過GB/T 17626.5－1999標準、浪湧（yǒng）（衝擊）抗擾度4級試（shì）驗。

i) 射頻場（chǎng）感應的傳導騷擾度

通過GB/T 17626.6－1998標準、射頻場感應的傳導騷擾度3級試驗。

j) 工頻磁場抗擾度

通過GB/T 17626.8－1998標準、工頻磁場抗擾度（dù）5級試驗。

k) 脈衝磁場抗擾度

通（tōng）過GB/T 17626.9－1998標準、脈衝磁場抗擾度5級試驗。

l) 阻尼振蕩磁場抗擾度

通過GB/T 17626.10－1998標（biāo）準、阻（zǔ）尼振蕩磁場抗擾度5級試驗。

m) 振蕩波抗擾度

通過GB/T 17626.12－1998標準、振蕩波抗（kàng）擾度4級試驗。

5.2.2 自然環境

a) 環境溫度：

工作：-10℃～+55℃。

貯存（cún）：-25℃～+80℃,在（zài）極限值下（xià）不施加激勵量（liàng）,裝置（zhì）不出（chū）現不可逆的化,溫度恢（huī）複後,裝（zhuāng）置應（yīng）能正常工作。

b) 相對濕度：5%～95%（不凝露）

c) 大氣壓力： 80kPa～110kPa。

5.2.3 機械環境

a) 工作條（tiáo）件：能承受嚴酷等級為Ⅰ級的振動響應、衝擊響應；

b) 運輸條件：能（néng）承受嚴酷等級為Ⅰ級的振動耐（nài）久（jiǔ）、衝擊耐（nài）久、碰撞。